程华王萍崔岩吴爱民石南林
材料研究学报
以Ar+SiH4作为反应气体, 采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR--PECVD)方法制备微晶硅薄膜, 研究了基片温度对薄膜微观结构、吸收系数、光学禁带宽度的影响。结果表明, 随着基片温度的升高, 薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶, 薄膜的粗糙度单调增大, 而H含量则单调减小。薄膜的光学吸收系数随基片温度的升高而增大, 禁带宽度由1.89 eV降低到1.75 eV。
关键词:
材料合成与加工工艺
,
microcrystalline silicon film
,
ECR-PECVD
,
absorption coefficient
,
optical bandgap
冯砚艳
,
王星星
,
辜敏
电镀与涂饰
doi:10.19289/j.1004-227x.2017.09.005
以CuCl2·2H2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu2+-SiO2复合溶胶.采用循环伏安法研究了Cu2+在该溶胶中的电化学性质,以恒电位法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面沉积了凝胶复合薄膜.采用扫描电镜、能谱、X射线衍射对复合薄膜进行了表征,以紫外-可见光谱测试了薄膜的线性光学性能.结果表明,控制电位在-0.24 ～ 0.2 V和负于-0.24 V(相对于饱和甘汞电极)可分别制备出Cu+-SiO2和Cu-SiO2凝胶薄膜,前者的平均光学带隙宽度(Eg)为1.94 eV,略高于后者的1.92 eV.由于Cu在溶胶中是连续成核,导致了Cu-SiO2凝胶薄膜中的Cu颗粒大小不均匀(在几十纳米至几微米之间),吸收光谱在400～500 nm出现了Cu带间迁移的吸收峰.
关键词:
二氧化硅溶胶
,
铜
,
复合薄膜
,
氧化铟锡
,
恒电位电沉积
,
循环伏安法
,
紫外-可见光谱
,
光学带隙
程华
,
王萍
,
崔岩
,
吴爱民
,
石南林
材料研究学报
以Ar＋SiH_4作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）方法制备微晶硅薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构、吸收系数、光学禁带宽度的影响。结果表明,随着基片温度的升高,薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶,薄膜的粗糙度单调增大,而H含量则单调减小。薄膜的光学吸收系数随基片温度的升高而增大,禁带宽度由1.89 eV降低到1.75 eV。
关键词:
材料合成与加工工艺
,
微晶硅薄膜
,
ECR
,
PECVD
,
吸收系数
,
光学带隙
杨成绍
,
王志光
,
孙建荣
,
姚存峰
,
臧航
,
魏孔芳
,
缑洁
,
马艺准
,
申铁龙
,
盛彦斌
,
朱亚斌
,
庞立龙
,
李炳生
,
张洪华
,
付云翀
原子核物理评论
室温下,用94 MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×10~(11),1.0×10~(12)和1.0×10~(13) ions/cm~2.所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析.通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离子辐照量的变化.结果表明,不同结构的硅材料中Xe离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著:随着Xe离子辐照量的增加,单晶硅的光学带隙基本不变,非晶硅薄膜的光学带隙由初始的约1.78 eV逐渐减小到约1.54eV,而纳米晶硅薄膜的光学带隙则由初始的约1.50 eV快速增大至约1.81 eV,然后再减小至约1.67 eV.对硅材料结构影响辐照效应的机理进行了初步探讨.
关键词:
硅
,
薄膜
,
重离子辐照
,
光学带隙
高艺涵
,
侯清玉
,
赵春旺
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.09.020
当Cr掺杂ZnO 的摩尔数为0．0313~0．0625的范围内，掺杂体系的最小光学带隙宽度和吸收光谱分布随Cr掺杂浓度的变化出现了两类相反的实验结果.为了解决本问题，采用密度泛函理论(DFT)框架下的广义梯度近似(GGA＋U)平面波超软赝势方法，用PBE 泛函的计算方案来描述电子间的交换关联能，对未掺杂 ZnO 和3种不同浓度Cr掺杂ZnO 超胞模型进行了能带结构、态密度、差分电荷密度、布居值以及吸收光谱的计算.结果表明，当Cr掺杂摩尔数为0．0313~0．0625的范围内，随着Cr掺杂量增加，掺杂体系的晶格常数和体积增大，总能量和形成能减小，结构更稳定，掺杂更容易，最小光学带隙宽度增大，吸收光谱显著蓝移.计算结果与实验结果相一致，并合理解释了存在的问题.这对制备Cr掺杂ZnO 中实现短波长光学器件有一定的理论指导作用.
关键词:
Cr掺杂ZnO
,
光学带隙
,
吸收光谱
,
第一性原理
